[发明专利]内嵌微波批量除气腔室在审
申请号: | 202080044325.3 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN113994461A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | R·高塔姆;A·朱普迪;高德丰;P·P·饶;V·拉马钱德兰;欧岳生;和田优一;蔡振雄;K·L·刘 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01J19/12;H05B6/80 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 批量 气腔室 | ||
本文提供用于基板处理腔室的方法和设备。在一些实施例中,基板处理腔室包括腔室主体,所述腔室主体具有侧壁,所述侧壁限定具有多边形形状的内部体积;设置在腔室主体的上部中的可选择性密封的细长开口以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体;设置在腔室主体的第一端处的漏斗,其中漏斗的尺寸沿着从腔室主体的外表面到内部体积的方向增大;以及设置在与漏斗相对的腔室主体的第二端处的泵端口。
技术领域
本公开内容的实施例总体涉及基板处理系统,并且更具体地涉及在基板处理系统中使用的除气腔室。
背景技术
在半导体基板的处理中,例如在基板上执行沉积或其他处理之前,通常在处理之间对基板进行除气以从基板移除吸收的气体、水分等。如果所吸收的气态杂质在后续处理之前未被移除,则所吸收的气态杂质可能在处理期间不期望地放气,从而导致污染、质量降低等。发明人观察到典型的除气腔室一次处理单个基板。可提供多个除气腔室以增加产量。然而,这种解决方案是昂贵的并且留下庞大的占地面积。
因此,发明人提供一种用于从一个或多个基板移除水分的改进的处理腔室。
发明内容
本文提供了用于基板处理腔室的方法和设备。在一些实施例中,基板处理腔室包括:腔室主体,所述腔室主体具有侧壁,所述侧壁限定具有多边形形状的内部体积;设置在腔室主体的上部中的可选择性密封的细长开口,以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体;设置在腔室主体的第一端处的漏斗,其中漏斗的尺寸沿着从腔室主体的外表面到内部体积的方向增大;以及设置在与漏斗相对的腔室主体的第二端处的泵端口。
在一些实施例中,除气腔室包括:腔室主体,所述腔室主体包括具有规则多边形形状的内部体积,其中腔室主体包括可选择性密封的细长开口以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体;基板支撑件,所述基板支撑件设置在内部体积中并被配置成支撑一个或多个基板,其中基板支撑件至少可移动到与细长开口对准的升高位置以及降低位置;热源,所述热源被配置成在一个或多个基板被设置在基板支撑件上时加热所述一个或多个基板;在腔室主体中的多个开口,所述多个开口被配置成使气体流入内部体积;以及排气端口,所述排气端口设置在腔室主体中。
在一些实施例中,微波除气腔室包括:腔室主体,所述腔室主体包括具有规则多边形形状的内部体积,其中腔室主体包括用于将一个或多个基板转移进入腔室主体的第一可选择性密封的细长开口以及用于将一个或多个基板转移离开腔室主体的第二可选择性密封的细长开口;基板支撑件,所述基板支撑件设置在内部体积中并被配置成支撑多个基板;微波源,所述微波源在腔室主体的第一端处耦合至腔室主体;以及泵,所述泵在与第一端相对的腔室主体的第二端处耦合至腔室主体。
以下描述本公开内容的其他和进一步的实施例。
附图说明
可通过参考附图中所描绘的本公开内容的说明性实施例来理解以上简要概述并将在下文更详细讨论的本公开内容的实施例。然而,附图仅示出本公开内容的典型实施例,并且因此附图不应被认为是对范围的限制,因为本公开内容可允许其他等效实施例。
图1是根据本公开内容的至少一些实施例的基板处理腔室的示意性侧视图。
图2是图1的基板处理腔室的示意性俯视图。
图3是面向图1的基板处理腔室的第二端的局部等距视图。
图4是面向图1的腔室主体的第一端的局部等距视图。
图5是根据本公开内容的至少一些实施例的基板处理腔室的示意性侧视图。
为了便于理解,在可能的情况下使用相同的附图标记来标示附图中共有的相同要素。附图未按比例绘制,并且可能为了清楚起见而简化。一个实施例的要素和特征可有益地并入其他实施例中而无需进一步详述。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造