[发明专利]无成核的钨沉积在审
| 申请号： | 202080037670.4 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113874545A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 塞马·埃梅兹;邓若鹏;西冈丰;巴晓兰;桑杰·戈皮纳特;米卡尔·达内克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/14;C23C16/24;C23C16/28;C23C16/30;C23C16/455;H01L21/768;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供了在不沉积成核层的情况下沉积钨(W)膜的方法。在某些实施方案中，该方法包括在衬底上沉积硼(B)和/或硅(Si)的共形还原剂层。衬底通常包括待用钨填充的特征，其中还原剂层与包括该特征的衬底的形貌共形。然后将还原剂层暴露于含氟钨前体，该前体被还原剂层还原以形成元素钨层。共形还原剂层转化为共形钨层。 | ||
| 搜索关键词： | 成核 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
