[发明专利]无成核的钨沉积

权利要求书

1.一种方法，其包括：

通过以下方式在衬底表面上沉积元素钨体层而不沉积钨成核层：

在所述表面上形成包含元素硼(B)的层；以及

在形成所述层之后，执行多个将所述衬底暴露于氟化钨化合物和氢(H₂)的交替脉冲的循环，从而在所述表面上形成元素钨体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述元素钨体层与所述表面的界面处的所述B含量不超过10²¹原子/cm³。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述元素钨体层与所述表面的界面处的所述B含量不超过5×10²⁰原子/cm³。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述元素钨体层与所述表面的界面处的所述B含量不超过2×10²⁰原子/cm³。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述包含元素硼的层的厚度介于10至50埃之间。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述包含元素硼的层的厚度小于30埃。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述包含元素硼的层基本上由硼组成。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述包含元素硼的层还包含硅。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述表面是氮化物表面。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述表面是氮化钛表面。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述表面是氧化物表面。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，形成所述包含元素硼的层包括将所述表面暴露于乙硼烷。

13.根据权利要求1-6或8-11中任一项所述的方法，其中，形成所述包含元素硼的层包括将所述表面暴露于乙硼烷和硅烷。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中，在所述包含元素硼的层的形成期间容纳所述衬底的室的室压强介于10托和90托之间。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，形成所述包含元素硼的层和执行多个所述循环的操作在同一室中执行。

16.根据权利要求15所述的方法，其包括在形成所述包含元素硼的层之后和在执行多个所述循环之前降低所述室压强。

17.根据权利要求1-6和8-16中任一项所述的方法，其中，在所述表面上形成包含元素硼(B)的层包括将所述表面暴露于包含硼(B)和硅(Si)的气体混合物，其中B:Si比率介于1:1和6:1之间。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述气体混合物包括乙硼烷和硅烷。

19.根据权利要求1-18中任一项所述的方法，其中，在所述表面上形成包含元素硼(B)的层包括含硼还原剂的热分解而不在所述表面上吸附所述含硼还原剂。

20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中，所述元素硼层与所述表面的形貌共形。