[发明专利]集成装置的多层布置以及抛光期间保护存储器单元的方法在审

专利信息
申请号: 202080034265.7 申请日: 2020-04-14
公开(公告)号: CN113841249A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: M·布哈;T·穆德格尔 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L21/3105;H01L45/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一些实施例包含一种形成布置的方法。形成第一层以包含CMOS电路系统。形成第二层以包含组合件,所述组合件具有耦合区的相对侧上的第一组存储器单元及第二组存储器单元。支撑材料邻近于所述第一组所述存储器单元及所述第二组所述存储器单元,且中介材料邻近于所述支撑材料。所述支撑材料具有不同于所述中介材料的组合物。导电互连件延伸穿过所述中介材料。抛光所述组合件的上表面以减小所述组合件的总高度。所述支撑材料在所述抛光期间提供支撑以保护所述存储器单元在所述抛光期间免受侵蚀。所述第二层的所述导电互连件与所述第一层的所述CMOS电路系统耦合。一些实施例包含多层布置。
搜索关键词: 集成 装置 多层 布置 以及 抛光 期间 保护 存储器 单元 方法
【主权项】:
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