[发明专利]集成装置的多层布置以及抛光期间保护存储器单元的方法

权利要求书

1.一种形成布置的方法，其包括：

形成组合件，所述组合件沿横截面包括耦合区的一个侧上的第一组存储器单元及所述耦合区的相对侧上的第二组存储器单元；所述组合件沿所述横截面包含邻近于所述第一组存储器单元的第一柱及邻近于所述第二组存储器单元的第二柱；所述第一柱及所述第二柱包括第一组合物且由具有不同于所述第一组合物的第二组合物的中介绝缘材料彼此隔开；所述存储器单元在所述组合件内具有第一高度；所述第一柱及所述第二柱在所述组合件内具有大于或等于所述第一高度的第二高度；

在所述耦合区内形成导电互连件且使其延伸穿过所述中介绝缘材料；所述导电互连件具有沿所述横截面的第一侧壁及第二侧壁，其中所述第一侧壁与所述第二侧壁呈相对关系；所述导电互连件的所述第一侧壁通过包含所述第一柱的第一区与所述存储器单元的所述第一组隔开，且所述导电互连件的所述第二侧壁通过包含所述第二柱的第二区与所述第二组存储器单元隔开；及

使用一或多个抛光步骤抛光所述组合件的上表面以减小所述组合件的总高度；所述第一柱及所述第二柱在所述抛光期间提供支撑以保护所述第一组及所述第二组的所述存储器单元在所述抛光期间免受侵蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组合物包含氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪及氧化锆中的一或多者。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组合物包括二氧化硅，且其中所述第一组合物包括一或多个高介电常数材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一柱及所述第二柱具有沿所述横截面的从约到约的范围内的宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组及所述第二组的所述存储器单元在第一系列存取/感测线上方；且进一步包括形成第二系列的存取/感测线以跨所述第一组及所述第二组的所述存储器单元且跨所述导电互连件延伸；所述第二系列的所述存取/感测线沿所述横截面与所述第一组及所述第二组的所述存储器单元电连接且与所述导电互连件电连接。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述横截面是沿平面；且

所述导电互连件是许多大体上相同导电互连件中的一者，其中所述导电互连件中的其它者在所述横截面的所述平面外形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二系列的所述存取/感测线是所述第二系列的许多存取/感测线中的一者，其中所述第二系列的所述存取/感测线中的其它者在所述横截面的所述平面外形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一系列的所述存取/感测线是字线，且其中所述第二系列的所述存取/感测线是位线。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组及所述第二组的所述存储器单元是包括硫属化物的自选择存储器单元。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一组及所述第二组的所述存储器单元包含上电极及下电极，且其中所述硫属化物在所述上电极与所述下电极之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组及所述第二组的所述存储器单元中的每一者包含可编程材料及选择装置。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一组及所述第二组的所述存储器单元包含上电极、下电极及所述上电极与所述下电极之间的中间电极；第一双向材料在所述上电极与所述中间电极之间，且第二双向材料在所述中间电极与所述下电极之间；所述第一双向材料及所述第二双向材料中的一者是所述存储器单元的所述可编程材料，且所述第一双向材料及所述第二双向材料中的另一者并入到所述选择装置的双向阈值开关中。