[发明专利]气相成长方法及气相成长装置在审
申请号: | 202080027955.X | 申请日: | 2020-02-07 |
公开(公告)号: | CN113632201A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 和田直之;南出由生 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/683;H01L21/673;C23C16/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;王玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 使用第1机器人(121),将在装载锁定室(13)待机的载具(C)在未搭载处理前的晶圆(WF)的状态下投入反应室(111),在将反应室(111)维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体,使用第1机器人(121),通过将在反应室(111)中已结束洗涤的载具(C)搬运至装载锁定室(13)来以既定频率洗涤载具(C)及基座(112)。之后,将载具(C)从反应室(111)搬出,将反应气体供给至反应室,在基座(112)的表面形成多晶硅膜(112P)。 | ||
搜索关键词: | 相成 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造