[发明专利]气相成长方法及气相成长装置

说明书

使用第1机器人(121)，将在装载锁定室(13)待机的载具(C)在未搭载处理前的晶圆(WF)的状态下投入反应室(111)，在将反应室(111)维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，使用第1机器人(121)，通过将在反应室(111)中已结束洗涤的载具(C)搬运至装载锁定室(13)来以既定频率洗涤载具(C)及基座(112)。之后，将载具(C)从反应室(111)搬出，将反应气体供给至反应室，在基座(112)的表面形成多晶硅膜(112P)。

技术领域

本发明涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长方法及气相成长装置。

背景技术

在用于外延晶圆的制造等的气相成长装置中，为使对硅晶圆背面的损伤为最小限度，提出在将硅晶圆搭载于环状的载具的状态下在从装载锁定室至反应室的工序中搬运(专利文献1)。

专利文献1 : 美国专利申请公开2017/0110352号公报。

若用这种气相成长装置重复硅外延晶圆等的制造，则多晶硅、其分解产物不仅在反应室的内壁，在载具的表面也逐渐堆积。之后，该堆积物从反应室的内壁、载具的表面剥离而成为颗粒，由于反应室内的热气而在反应室内、移载室内漂浮，该部分附着于晶圆表面而有产品晶圆的电气的特性等的品质下降的问题。另一方面，基座有多含有金属杂质的倾向，容易成为污染源，所以也需要通过借助多晶硅膜覆盖基座的表面，抑制由于基座引起的金属的污染，但也被指出晶圆的背面沉积的原因是来自基座的多晶硅膜的转印(质量传递)。因此，希望开发出能够抑制颗粒引起的污染、晶圆背面沉积、与晶圆的粘连伤痕(粘着)这样的不良情况的气相成长装置及方法。

发明内容

本发明所要解决的问题是，提供能够抑制由颗粒引起的污染、晶圆背面沉积、与晶圆的粘连伤痕的气相成长方法及气相成长装置。

本发明是一种气相成长方法，具备将晶圆的外边缘(包括端部或外周部的范围，以下在本说明书中相同。)支承的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室的基座顺次搬运，其特征在于，以既定的频率将附着于前述载具及前述基座的堆积物除去后，在前述基座的表面形成多晶硅膜。

在本发明中，更优选为，使用前述多个载具将多个处理前的晶圆经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向前述反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室向前述工厂接口顺次搬运，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下向前述反应室投入，并且将在前述反应室处结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，搬运至前述装载锁定室，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳至前述晶圆收纳容器，在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。

在本发明中，更优选为，在前述反应室中，将附着于前述载具及前述基座的堆积物除去后，在前述基座的表面形成多晶硅膜。

在本发明中，更优选为，为了在将附着于前述载具及前述基座的堆积物除去后在前述基座的表面形成多晶硅膜，利用前述第1机器人，将在前述装载锁定室待机的载具在不搭载处理前的晶圆的状态下投入前述反应室来搭载于前述基座，在将前述反应室维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，利用前述第1机器人，将在前述反应室已结束洗涤的载具搬运至前述装载锁定室后，将反应气体供给至前述反应室而在前述基座的表面形成多晶硅膜。

此外本发明为一种气相成长装置，具备将晶圆的外边缘支承的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室的基座顺次搬运，其特征在于，在前述基座的表面形成多晶硅膜，在前述载具的表面不形成多晶硅膜。