[发明专利]气相成长方法及气相成长装置

权利要求书

1.一种气相成长方法，具备将晶圆的外边缘支承的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室的基座顺次搬运，其特征在于，

以既定的频率将附着于前述载具及前述基座的堆积物除去后，在前述基座的表面形成多晶硅膜。

2.如权利要求1所述的气相成长方法，其特征在于，

使用前述多个载具将多个处理前的晶圆经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向前述反应室顺次搬运，

并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室向前述工厂接口顺次搬运，

前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，

前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，

在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室处结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，搬运至前述装载锁定室，

在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳至前述晶圆收纳容器，

在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。

3.如权利要求2所述的气相成长方法，其特征在于，

在前述反应室中，将附着于前述载具及前述基座的堆积物除去后，在前述基座的表面形成多晶硅膜。

4.如权利要求2或3所述的气相成长方法，其特征在于，

为了在将附着于前述载具及前述基座的堆积物除去后在前述基座的表面形成多晶硅膜，

利用前述第1机器人，将在前述装载锁定室待机的载具在不搭载处理前的晶圆的状态下投入前述反应室来搭载于前述基座，

在将前述反应室维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，

利用前述第1机器人，将在前述反应室已结束洗涤的载具搬运至前述装载锁定室后，

将反应气体供给至前述反应室而在前述基座的表面形成多晶硅膜。

5.一种气相成长装置，具备将晶圆的外边缘支承的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室的基座顺次搬运，其特征在于，

在前述基座的表面形成多晶硅膜，在前述载具的表面不形成多晶硅膜。

6.如权利要求5所述的气相成长装置，其特征在于，

使用前述多个载具，将多个处理前的晶圆经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向前述反应室顺次搬运，

并且，将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室向前述工厂接口顺次搬运，

前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，

前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，

在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室处结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，搬运至前述装载锁定室，

在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳至前述晶圆收纳容器，

在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。

7.如权利要求6所述的气相成长装置，其特征在于，

利用第1机器人，将在前述装载锁定室待机的载具在未搭载处理前的晶圆的状态下投入前述反应室，搭载于前述基座，

在将前述反应室维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，

利用前述第1机器人，将在前述反应室中已结束洗涤的载具搬运至前述装载锁定室后，将反应气体供给至前述反应室，在前述基座的表面形成多晶硅膜。