[发明专利]互补金属氧化物-半导体和MEMS传感器的异质集成在审
| 申请号： | 202080027511.6 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113767063A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 洪婉嘉;彼得·科普尼奇;伊凯·安德·奥贾克 | 申请（专利权）人： | 迈瑞迪创新科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市德锦知识产权代理有限公司 44352 | 代理人： | 陈永晔 |
| 地址： | 新加坡新加坡创业*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了与MEMS区微机电系统(MEMS)组件集成的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。所述MEMS组件例如是红外(IR)热传感器。所述MEMS传感器异质集成在CMOS器件上。例如，将具有CMOS器件和互连件以及经过部分处理的MEMS组件的CMOS晶片与具有MEMS结构的MEMS晶片键合，缓解后CMOS兼容性问题。用于完成所述器件的后集成工艺包括形成用于将传感器互连到CMOS组件的接触件，以及采用晶圆级真空封装用盖晶片封装所述器件。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 mems 传感器 集成 | ||
【主权项】：
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