[发明专利]干蚀刻方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080022923.0 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113614891A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 大森启之;古谷俊太 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的干蚀刻方法的特征在于：针对具有硅化合物膜的基板，介由形成在前述硅化合物膜上的具有规定开口图案的掩膜，将干蚀刻剂等离子化后对所述硅化合物膜进行蚀刻，前述干蚀刻剂包含以下的所有第1气体至第4气体。第1气体：选自由碘氟碳化合物和溴氟碳化合物组成的组中的1种以上的化合物；第2气体：由C |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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