[发明专利]半导体纳米粒子及其制造方法有效
| 申请号： | 202080013342.0 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113474291B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 鸟本司;龟山达矢;桑畑进;上松太郎;小谷松大祐 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;C09K11/08;C09K11/62;B82Y40/00;H01L33/50;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够制造粒度分布窄的半导体纳米粒子的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备包含Ag盐、含In和Ga中的至少一种的盐、和有机溶剂的混合物；将所述混合物升温到120℃以上且300℃以下的范围内的温度；向被升温的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子数相对于Ag的原子数之比的增加率成为10/分钟以下的方式添加S的供给源。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 粒子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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