[发明专利]用于衬底的环境敏感表面的牺牲性保护层在审
| 申请号： | 202080011611.X | 申请日： | 2020-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113366617A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·M·施瑞德;拉莎娜·莉玛丽;潘阳;戴安·海姆斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;C09D5/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在处理期间保护衬底的表面的方法包含：a)提供溶液，所述溶液形成具有上限温度的共聚物；b)将所述溶液分配于所述衬底的表面上，以形成牺牲保护层，其中所述共聚物为动力学捕获的，以使得能在高于所述上限温度的温度下保存；c)使所述衬底暴露于周围环境并持续预定时段；以及d)通过使用选自由紫外(UV)光和热所组成的群组的刺激而使所述牺牲保护层解聚合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 环境 敏感 表面 牺牲 保护层 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080011611.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
