[发明专利]用于衬底的环境敏感表面的牺牲性保护层

说明书

一种用于在处理期间保护衬底的表面的方法包含：a)提供溶液，所述溶液形成具有上限温度的共聚物；b)将所述溶液分配于所述衬底的表面上，以形成牺牲保护层，其中所述共聚物为动力学捕获的，以使得能在高于所述上限温度的温度下保存；c)使所述衬底暴露于周围环境并持续预定时段；以及d)通过使用选自由紫外(UV)光和热所组成的群组的刺激而使所述牺牲保护层解聚合。

通过引用并入

PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术领域

本公开涉及衬底处理，更具体而言，涉及对衬底的环境敏感表面添加和移除牺牲性保护层的系统和方法。

背景技术

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

半导体处理系统可用于在衬底(如半导体晶片)上进行处理。在处理期间，使衬底在不同衬底处理工具间来回传输以进行不同的处理。在进行传送和/或保存期间，衬底表面可能暴露于污染物、周围空气、光、水分等。传送和/或保存期间的暴露过程可能导致缺陷、材料改性、和/或对下游处理造成不利影响。

发明内容

一种用于在处理期间保护衬底的表面的方法包含：a)提供溶液，所述溶液形成具有上限温度的共聚物；b)将所述溶液分配于所述衬底的表面上，以形成牺牲保护层，其中所述共聚物为动力学捕获的，以使得能在高于所述上限温度的温度下保存；c)使所述衬底暴露于周围环境并持续预定时段；以及d)通过使用选自由紫外(UV)光和热所组成的群组的刺激而使所述牺牲保护层解聚合。

在其他特征中，所述共聚物包含聚醛共聚物。所述上限温度低于室温。所述方法包含在将所述溶液分配于所述衬底上之前将浇铸溶剂分配于所述衬底上。所述方法包含在分配所述溶液之前将热催化剂添加至所述溶液。所述热催化剂选自由热酸产生剂和热碱产生剂组成的群组。

在其他特征中，所述方法包含在分配所述溶液之前将光催化剂添加至所述溶液中。所述光催化剂选自由光酸产生剂和光碱产生剂组成的群组。所述方法包含将染料添加至所述光催化剂。

在其他特征中，d)包含：d1)将热催化剂分配于所述牺牲保护层上；以及d2)将所述衬底加热至大于经催化的共聚物的降解温度且小于未经催化的共聚物的降解温度的温度。

在其他特征中，所述方法包含重复进行d1)和d2)一或多次直到将所述牺牲保护层移除为止。

在其他特征中，所述方法包含：d3)将所述衬底加热至比所述未经催化的共聚物的降解温度更高的温度，以将所述牺牲保护层的剩余部分移除。

在其他特征中，所述热催化剂选自由热酸产生剂和热碱产生剂组成的群组。

在其他特征中，在b)之前，在第一衬底处理工具中于所述衬底上进行第一处理工艺；在所述第一衬底处理工具中进行a)和b)；在第二衬底处理工具中进行d)；以及在所述第二衬底处理工具中于所述衬底上进行第二处理工艺。

在其他特征中，所述第一处理工艺选自由沉积、蚀刻、剥离、清洁、化学机械研磨(CMP)、图案化、或所述衬底的电性质修改组成的群组。所述第二处理工艺选自由沉积、蚀刻、剥离、清洁、化学机械研磨(CMP)、图案化、或所述衬底的电性质修改组成的群组。

一种用于在处理期间保护衬底的表面的方法包含：a)提供溶液，所述溶液形成具有上限温度的共聚物；b)将所述溶液分配于所述衬底的表面上，以形成牺牲保护层，其中所述共聚物为动力学捕获的，以使得能在高于所述上限温度的温度下保存；c)使所述衬底暴露于周围环境并持续预定时段；以及d)通过使所述衬底暴露于酸性蒸气以使所述牺牲保护层解聚合。