[实用新型]一种低能耗型半导体晶体管有效
| 申请号： | 202023024711.2 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN213459742U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 夏远志 | 申请（专利权）人： | 深圳市海本电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L23/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道草围社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低能耗型半导体晶体管，包括绝缘壳，绝缘壳的顶部设置有散热板，绝缘壳的底部设置有发射极，绝缘壳的底部设置有基极，绝缘壳的底部设置有集电极，绝缘壳的内部设置有发射区，发射区的一侧设置有发射结，发射结的一侧设置有基区，基区的一侧设置有基电结，基电结的一侧设置有集电区，发射极、基极和集电极均包括有焊接针，焊接针的底部一体成型有针头，焊接针的顶端一体成型有过渡柱，散热板的正面设置有指示标。本实用新型增加发射结和集电结与基区接触的面积，减小发射结和集电结的电阻率，降低半导体晶体管的耗能，增加散热板与空气接触面积，提高半导体晶体管散热的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能耗 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
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