[实用新型]一种低能耗型半导体晶体管

权利要求书

1.一种低能耗型半导体晶体管，包括绝缘壳，其特征在于，所述绝缘壳的顶部设置有散热板，所述绝缘壳的底部分别设置有发射极、基极和集电极，所述绝缘壳的内部设置有发射区，所述发射区的一侧设置有发射结，所述发射结的一侧设置有基区，所述基区的一侧设置有基电结，所述基电结的一侧设置有集电区。

2.根据权利要求1所述的一种低能耗型半导体晶体管，其特征在于，所述发射极、所述基极和所述集电极均包括有焊接针，所述焊接针的底部一体成型有针头。

3.根据权利要求2所述的一种低能耗型半导体晶体管，其特征在于，所述焊接针的顶端一体成型有过渡柱，且所述发射极、所述基极和所述集电极对于的所述过渡柱分别连接在所述发射区、所述基区和所述集电区的一端。

4.根据权利要求1所述的一种低能耗型半导体晶体管，其特征在于，所述散热板的正面设置有指示标，所述散热板的正面设置有扩展块。

5.根据权利要求1所述的一种低能耗型半导体晶体管，其特征在于，所述散热板的正面开有安装孔，所述绝缘壳的两侧设置有弧形槽。

6.根据权利要求1所述的一种低能耗型半导体晶体管，其特征在于，所述散热板的一侧设置有若干呈等距离分部的散热条一，所述散热板的正面设置有若干呈等距离分部的散热条二。