[实用新型]一种FinFET集成电路制造工艺中Fin高度的测试结构有效
| 申请号： | 202022940754.9 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN214099585U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张飞虎 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种FinFET集成电路制造工艺中Fin高度的测试结构，包括至少一个基本单元；基本单元包括衬底、待测Fin、待测栅极和隔离层；待测Fin嵌于隔离层中；隔离层平辅在衬底上表面，其厚度为极板距离；待测栅极置于隔离层上表面，所述衬底、隔离层与待测栅极形成平行板电容器结构。本实用新型的一种FinFET集成电路制造工艺中Fin高度的测试结构，结构设计简单，易于制造，可以简单有效地监控FinFET制造工艺过程中Fin的高度，对制造工艺的稳定性监控起到了非常重要的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 集成电路 制造 工艺 fin 高度 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
