[实用新型]一种半导体激光熔覆系统有效
| 申请号： | 202022371880.7 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN214694371U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨狄 | 申请（专利权）人： | 无锡市晓晖光电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体激光熔覆系统，包括基座，所述基座的上端面上设有转动槽，所述转动槽内转动连接有转动块，所述转动块远离基座的一侧壁上固定连接有底盘，所述基座的上端面上固定连接有支撑座，所述支撑座位于转动槽的一侧设置，所述支撑座靠近转动槽的一侧壁上固定连接有顶座，所述顶座远离基座设置，所述顶座靠近转动槽的一侧壁上设有滑动槽，所述滑动槽内滑动连接有滑动块，所述滑动块靠近转动槽的一侧壁上固定连接有激光设备，所述滑动块上螺纹贯穿有螺纹杆。本实用新型可以方便的完成半导体元件不同位置上的熔覆工作，极大的满足了用户的不同使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 系统 | ||
【主权项】：
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