[实用新型]一种具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件有效
| 申请号： | 202022095376.9 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN213184295U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设置在P型阱区中间，在P型阱区一侧的靠近槽栅结构区的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相邻接的P型重掺杂源区，在P型阱区另一侧的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区和P型阱区上的P型重掺杂集电极区，N型重掺杂区上的槽栅结构区，该槽栅结构区采用多晶硅和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，槽栅结构引出栅极，P型重掺杂集电极区引出集电极。该IGBT功率器件通过槽栅结构和超结结构可以有效地提高其开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 槽栅型 igbt 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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