[实用新型]一种具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件

权利要求书

1.一种具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上的N型重掺杂区(3)和P型阱区(2)，该N型重掺杂区(3)设置在P型阱区(2)中间，在P型阱区(2)一侧的靠近槽栅结构区的N型轻掺杂区(4)，在N型轻掺杂区(4)上的N型重掺杂源区(6)，在远离槽栅结构区的N型重掺杂源区(6)一侧相邻接的P型重掺杂源区(5)，在P型阱区(2)另一侧的N型轻掺杂漂移区(7)，在N型轻掺杂漂移区(7)上的N型重掺杂缓冲区(8)，在N型重掺杂缓冲区(8)和P型阱区(2)上的P型重掺杂集电极区(9)，在N型重掺杂区(3)上的槽栅结构区，该槽栅结构区的栅结构(11)采用多晶硅材料和其中的槽栅结构区的绝缘介质(10)采用高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，槽栅结构区的栅结构(11)引出栅极，P型重掺杂集电极区(9)引出集电极。

2.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，P型重掺杂集电极区(9)的厚度比N型重掺杂缓冲区(8)的厚度小。

3.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，N型轻掺杂漂移区(7)的面积比N型重掺杂缓冲区(8)的面积大。

4.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，在半导体衬底(1)上的N型重掺杂区(3)的面积比P型阱区(2)的面积小。

5.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，N型重掺杂区(3)的宽度比槽栅结构区的宽度大，且N型重掺杂区(3)以槽栅结构区中心线为对称轴左右对称。

6.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，所述高K绝缘材料是一种单质或者化合物或者几种相关薄膜叠加组成的材料。

7.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，所述发射极、集电极和栅极的金属电极采用金属铜材料或者铝材料。

8.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽栅型IGBT半导体功率器件，其特征在于，半导体衬底材料为半导体SiC基或者GaN基材料。