[实用新型]一种倒装紫外发光二极管芯片有效
| 申请号： | 202021040842.7 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN213184332U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张向鹏;崔志勇;李勇强;薛建凯;王雪;郭凯;张晓娜 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张永辉 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种倒装紫外发光二极管芯片，其包括外延结构、正电极和负电极，外延结构包括自下而上设置的衬底、N型半导体材料层、多量子阱层、P型半导体材料层和P型欧姆接触层，多量子阱层、P型半导体材料层以及P型欧姆接触层被部分去除掉以部分露出所述N型半导体材料层，剩余的P型欧姆接触层呈凹凸结构并具有多个凹区域和多个凸区域，P型欧姆接触层的多个凹区域以及露出的N型半导体材料层上设置有DBR层，位于P型欧姆接触层的多个凹区域上的DBR层上以及P型欧姆接触层的多个凸区域上设置有ITO层。其可以提高紫外发光二极管的发光亮度，并降低生产成本，且使用寿命更长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 紫外 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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