[实用新型]一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及半导体芯片有效
| 申请号： | 202020302696.4 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN212033027U | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 赵家宽;曾丹;史波;赵浩宇;刘勇强 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片终端结构及半导体芯片，所述芯片终端结构包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅栅极，位于多晶硅栅极及未被所述多晶硅栅极覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本实用新型的终端结构改进注入区域结构、多晶刻蚀结构及金属刻蚀结构，设置了平电场沟槽结构，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 沟槽 半导体 芯片 终端 结构 | ||
【主权项】：
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