[发明专利]碳化硅蚀刻工装在审
| 申请号： | 202011644791.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112864062A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 林艺鸿;张洁;蔡少忠 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅蚀刻工装，涉及碳化硅蚀刻技术领域。该碳化硅蚀刻工装包括支撑杆及多个托架。支撑杆竖直设置，且支撑杆的侧面开设有多个第一连接缺口。多个托架均呈水平设置，且均用于承接碳化硅衬底，多个托架一一可拆卸地卡持于多个第一连接缺口内。该碳化硅蚀刻工装能够同时蚀刻多个碳化硅衬底，具有蚀刻效率较高，且蚀刻灵活性较高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 蚀刻 工装 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
