[发明专利]一种功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构在审
| 申请号： | 202011631198.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113161233A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/02;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200000 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构。对晶圆正面的划片道进行正面划片形成划片槽，在划片槽内填充树脂层；对晶圆背面进行研磨减薄，使划片槽以及填充于划片槽的树脂层在晶圆背面显露出来；对减薄后的晶圆背面的树脂层进行腐蚀，使树脂层的背面低于晶圆背面；在晶圆背面进行背面金属化形成背面金属化层，在树脂层的背面处形成金属凹陷部；将金属凹陷部作为对位标记，在晶圆背面对准金属凹陷部进行背面划片，将各个管芯进行分离。避免因金属背面化层在划片过程中出现拉丝现象而导致的短路想象，减低背面划片困难，金属凹陷部作为对位标记有利于从晶圆背面进行划片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 划片 方法 芯片级 封装 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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