[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 202011627999.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112635631B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 颜改革;蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管，该发光二极管包括：发光二极管包括：衬底、外延层、第一钝化层、内电极层，第一钝化层上设置有第二开槽，第二内电极区经第二开槽电连接第二半导体层；其中，每个第二内电极区所对应的第二开槽的数量大于或等于2个，且彼此间隔设置。通过上述方式，本申请能够解决现有技术中空洞面积过大所导致的技术问题，提高发光二极管与封装支架焊接后的推拉力水平，提高发光二极管封装产品的机械性能；另一方面，本申请能够提高发光二极管产品的电流扩散与热扩散的均匀性，进而提高发光二极管产品的光电性能及其应用的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
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