[发明专利]一种发光二极管有效
申请号: | 202011627999.4 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112635631B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 颜改革;蒋振宇;闫春辉 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/44 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:
衬底;
外延层,设置于所述衬底的一侧主表面上,且包括在远离所述衬底的方向上依次层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层;
第一钝化层,设置于所述外延层背离于所述衬底的一侧;
内电极层,设置于所述第一钝化层背离于所述外延层的一侧,并划分成彼此电性隔离的至少一个第一内电极区和至少一个第二内电极区,其中所述第一钝化层上设置有第一开槽和第二开槽,所述第一内电极区经所述第一开槽电连接所述第一半导体层,所述第二内电极区经所述第二开槽电连接所述第二半导体层;其中,每个所述第二内电极区所对应的所述第二开槽的数量大于或等于2个,且彼此间隔设置;
第二钝化层,设置于所述内电极层背离于所述第一钝化层的一侧;
外电极层,设置于所述第二钝化层背离于所述内电极层的一侧,并划分成彼此电性隔离且分别与所述第一内电极区和所述第二内电极区对应的第一外电极区和第二外电极区,其中所述第二钝化层上设置有第三开槽和第四开槽,所述第一外电极区经所述第三开槽电连接所述第一内电极区,所述第二外电极区经所述第四开槽电连接所述第二内电极区。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第二内电极区和第二外电极区成对设置,每对所述第二内电极区和第二外电极区具有同向设置的长度方向,每对所述第二内电极区和第二外电极区所对应的所述第二开槽和所述第四开槽在所述衬底上的投影沿所述长度方向交替设置。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,沿所述长度方向,所述第二开槽和所述第四开槽在所述衬底上的投影的长度与相邻两个所述第二开槽和所述第四开槽在所述衬底上的投影之间的间隔距离的比例为0.2-5;
沿宽度方向,所述第三开槽在所述衬底上的投影的长度与相邻两个所述第三开槽在衬底上的投影之间的间隔距离之间的比例为0.2-5。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第二外电极区的数量大于所述第一外电极区的数量,每个所述第一外电极区所对应的所述第三开槽的数量大于每个所述第二外电极区所对应的所述第四开槽的数量。
5.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第二外电极区的数量为多个且沿所述第二外电极区的长度方向的垂直方向间隔排列,所述第一外电极区的数量为一个,并环绕多个所述第二外电极区设置,所述第一外电极区所对应的所述第三开槽大于或等于5个。
6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于,所述第一外电极区所对应的所述第三开槽沿预设的环形曲线间隔排列。
7.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管进一步包括设置于所述第二半导体层背离所述第一半导体层一侧的反射镜,所述反射镜与所述第二半导体层电连接,所述第二内电极区经所述第二开槽电连接所述反射镜。
8.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述外延层在背离所述衬底一侧设置有外露所述第一半导体层的凹陷区,所述第一开槽设置于所述凹陷区内,以使得所述第一内电极区与外露的所述第一半导体电连接,其中所述第一开槽的数量为多个,并呈点阵状排列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳第三代半导体研究院,未经深圳第三代半导体研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011627999.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。