[发明专利]一种发光二极管

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管，该发光二极管包括：发光二极管包括：衬底、外延层、第一钝化层、内电极层，第一钝化层上设置有第二开槽，第二内电极区经第二开槽电连接第二半导体层；其中，每个第二内电极区所对应的第二开槽的数量大于或等于2个，且彼此间隔设置。通过上述方式，本申请能够解决现有技术中空洞面积过大所导致的技术问题，提高发光二极管与封装支架焊接后的推拉力水平，提高发光二极管封装产品的机械性能；另一方面，本申请能够提高发光二极管产品的电流扩散与热扩散的均匀性，进而提高发光二极管产品的光电性能及其应用的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管。

背景技术

传统的倒装发光二极管中，N电极、P电极依次在钝化层一侧层叠设置，其中P电极表面上形成有一凹面。

本申请的发明人在长期的研究过程中，发现上述倒装结构发光二极管在封装过程中，焊接材料易在P电极凹面处产生空洞，导致发光二极管与封装支架焊接后的推拉力减小，影响发光二极管封装结构的可靠性；此外，空洞面积越大，电流注入面积越小，电流注入均匀性越差，发光二极管与封装支架之间传热均匀性越差。

发明内容

基于此，本申请提供一种发光二极管，能够解决现有技术中空洞面积过大所导致的技术问题，提高发光二极管与封装支架焊接后的推拉力水平，提高发光二极管封装产品的机械性能。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提出一种发光二极管，该发光二极管包括：衬底；外延层，设置于衬底的一侧主表面上，且包括在远离衬底的方向上依次层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一钝化层，设置于外延层背离于衬底的一侧；内电极层，设置于第一钝化层背离于外延层的一侧，并划分成彼此电性隔离的至少一个第一内电极区和至少一个第二内电极区，其中第一钝化层上设置有第一开槽和第二开槽，第一内电极区经第一开槽电连接第一半导体层，第二内电极区经第二开槽电连接第二半导体层；其中，每个第二内电极区所对应的第二开槽的数量大于或等于2个，且彼此间隔设置。

区别于现有技术的情况，本申请的第一钝化层上设置有第二开槽，第二内电极区经第二开槽电连接第二半导体层，其中，每个第二内电极区所对应的第二开槽的数量大于或等于2个，且多个第二开槽彼此间隔设置，进而能够减小单个第二开槽的面积，以减小焊接材料在单个第二开槽处产生的空洞面积，能够解决现有技术中空洞面积过大所导致的技术问题，提高发光二极管与封装支架焊接后的推拉力水平，提高发光二极管封装产品的机械性能，并提高电流注入面积以及电流扩散的均匀性，进而提高发光二极管与封装支架之间热扩散的均匀性，进而提高发光二极管产品的光电性能及其应用的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1为本申请一实施例提供的发光二极管的俯视结构示意图；

图2为沿图1中A-A的截面结构示意图；

图3为图2中第一外电极区所对应的第三开槽的结构示意图；

图4为图2中第一外电极区所对应的第三开槽的另一结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。