[发明专利]一种异质结电池制备方法及异质结电池

摘要

本申请实施例中提供了一种异质结电池制备方法及异质结电池，属于太阳能电池技术领域，异质结电池制备方法包括在晶体硅与传统的双层本征非晶硅层结构之间增加一层CO2掺杂非晶硅层形成具有三层结构的本征非晶硅层，具体操作工艺流程为：提供晶体硅衬底；清洗制绒；采用CVD沉积工艺在衬底的P面和N面的至少一侧面制备第一层，第一层为CO2掺杂非晶硅层；采用CVD沉积工艺在上一步得到的衬底的P面和N面均制备第二层和位于第二层上的第三层，其中，第二层为无H掺杂本征非晶硅层，所述第三层为H掺杂本征非晶硅层。通过本申请的处理方案，改善界面钝化质量，使光生电流和开路电压均有所增加，提高了电池转化效率。