[发明专利]光敏元件及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202011609287.X | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112713213B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 蔡广烁 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/18;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种光敏元件及其制备方法、显示装置,该光敏元件包括:衬底;第一电极,设置于所述衬底上;N型掺杂硅层,设置于所述第一电极上;非掺杂硅层,设置于所述N型掺杂硅层上;氧化钼层,设置于所述非掺杂硅层上;绝缘层,设置于所述氧化钼层以及所述衬底上,所述绝缘层上设有第一开孔以暴露所述氧化钼层;第二电极,设置于所述绝缘层和氧化钼层上,且通过所述第一开孔与所述氧化钼层接触。本发明提供的光敏元件采用高功函数的氧化钼层代替现有技术中同质结或异质结结构的P型材料,不仅节约成本,而且能够提升光敏元件的空穴传输效率,进而提升光敏元件的性能。 | ||
搜索关键词: | 光敏 元件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的