[发明专利]光敏元件及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种光敏元件及其制备方法、显示装置，该光敏元件包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底上；N型掺杂硅层，设置于所述第一电极上；非掺杂硅层，设置于所述N型掺杂硅层上；氧化钼层，设置于所述非掺杂硅层上；绝缘层，设置于所述氧化钼层以及所述衬底上，所述绝缘层上设有第一开孔以暴露所述氧化钼层；第二电极，设置于所述绝缘层和氧化钼层上，且通过所述第一开孔与所述氧化钼层接触。本发明提供的光敏元件采用高功函数的氧化钼层代替现有技术中同质结或异质结结构的P型材料，不仅节约成本，而且能够提升光敏元件的空穴传输效率，进而提升光敏元件的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光敏元件及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着科技的发展，利用指纹、语音、面部、手、视网膜或虹膜作为个人识别系统已经成为安全可靠的生物识别技术。从成本、易用性和准确性等层面上看，指纹识别已经成为用于验证身份的领先方法，以替代常规密码和密钥。传统的指纹识别光学传感器中的光敏元件存在成本高，体积大和图像失真等问题。基于硅芯片的光敏元件因为可以做得非常小而且便宜，受到了人们的青睐。然而，基于硅芯片的光敏元件结构通常需要用P型材料形成同质结或异质结结构，但是P型材料的制备增加了成本，同时由于P型材料的空穴传输效率较低，会影响光敏元件的性能。

因此，有必要提供一种光敏元件及其制备方法以及显示装置，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明提供一种光敏元件及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术中的光敏元件因采用P型材料导致的成本较高以及空穴传输效率较低的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种光敏元件，包括：

衬底；

第一电极，设置于所述衬底上；

N型掺杂硅层，设置于所述第一电极上；

非掺杂硅层，设置于所述N型掺杂硅层上；

氧化钼层，设置于所述非掺杂硅层上；

绝缘层，设置于所述氧化钼层以及所述衬底上，所述绝缘层上设有第一开孔以暴露所述氧化钼层；

第二电极，设置于所述绝缘层和氧化钼层上，且通过所述第一开孔与所述氧化钼层接触。

在本发明的光敏元件中，所述第一电极包括用于与引线搭接的第一区域和用于与所述N型掺杂硅层接触的第二区域，所述N型掺杂硅层、所述非掺杂硅层、所述氧化钼层以及所述第二电极对应所述第二区域设置。

在本发明的光敏元件中，所述第一电极包括由钼、铜、铝、钛、镍和镉中的至少一种金属材料形成的单层或多层结构，所述第二电极包括由氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌和氧化镓锌中的至少一种金属氧化物材料形成的单层或多层结构。

为解决上述问题，本发明还提供了一种光敏元件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1，在衬底上形成多个第一电极；

步骤S2，在所述第一电极上依次形成层叠的N型掺杂硅层、非掺杂硅层以及氧化钼层；

步骤S3，在所述氧化钼层以及所述衬底上制备绝缘层，并在所述绝缘层上形成暴露所述氧化钼层的第一开孔；

步骤S4，在所述绝缘层上形成对应所述氧化钼层的第二电极，且所述第二电极通过所述第一开孔与所述氧化钼层接触。

在本发明的制备方法中，所述第一电极包括由钼、铜、铝、钛、镍和镉中的至少一种金属材料形成的单层或多层结构，所述第一电极包括用于与引线搭接的第一区域和用于与所述N型掺杂硅层接触的第二区域，所述N型掺杂硅层、所述非掺杂硅层、所述氧化钼层以及所述第二电极对应所述第二区域设置。