[发明专利]光敏元件及其制备方法、显示装置有效

申请号：	202011609287.X	申请日：	2020-12-30
公开（公告）号：	CN112713213B	公开（公告）日：	2022-07-12
发明（设计）人：	蔡广烁	申请（专利权）人：	TCL华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L31/109	分类号：	H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/18;H01L27/32
代理公司：	深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570	代理人：	远明
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	光敏元件及其制备方法显示装置
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【权利要求书】：

1.一种光敏元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，在衬底上形成多个第一电极，所述第一电极包括由钼、铜、铝、钛、镍和镉中的至少一种金属材料形成的单层或多层结构；

步骤S2，在所述第一电极上依次形成层叠的N型掺杂硅层、非掺杂硅层以及氧化钼层；

步骤S3，在所述氧化钼层以及所述衬底上制备绝缘层；接着，

当单层结构的所述第一电极的材料为钼钛合金，或者多层结构的所述第一电极中靠近所述N型掺杂硅层一侧的子层的材料为钼钛合金时，对所述绝缘层进行图案化，形成暴露所述氧化钼层的第一开孔以及同时形成暴露所述第一电极的第二开孔，之后对所述氧化钼层进行退火处理；

当单层结构的所述第一电极的材料为钼钛合金之外的材料，或者多层结构的所述第一电极中靠近所述N型掺杂硅层一侧的子层的材料为钼钛合金之外的材料时，对所述绝缘层进行第一次图案化，形成暴露所述氧化钼层的第一开孔，并对所述氧化钼层进行退火处理；之后再对所述绝缘层进行第二次图案化，形成暴露所述第一电极的第二开孔；

其中，退火温度小于或等于350℃；

步骤S4，在所述绝缘层上形成对应所述氧化钼层的第二电极，且所述第二电极通过所述第一开孔与所述氧化钼层接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极包括用于与引线搭接的第一区域和用于与所述N型掺杂硅层接触的第二区域，所述N型掺杂硅层、所述非掺杂硅层、所述氧化钼层以及所述第二电极对应所述第二区域设置。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二开孔对应所述第一区域设置。

4.一种采用如权利要求1-3任一项所述的光敏元件的制备方法制备的光敏元件，其特征在于，包括：

衬底；

第一电极，设置于所述衬底上；

N型掺杂硅层，设置于所述第一电极上；

非掺杂硅层，设置于所述N型掺杂硅层上；

氧化钼层，设置于所述非掺杂硅层上；

绝缘层，设置于所述氧化钼层以及所述衬底上，所述绝缘层上设有第一开孔以暴露所述氧化钼层；

第二电极，设置于所述绝缘层和氧化钼层上，且通过所述第一开孔与所述氧化钼层接触。