[发明专利]制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法在审
| 申请号： | 202011600486.4 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112670167A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 马宏平;张园览 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法。所述制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法包括如下步骤：提供一衬底；交替进行第一沉积工艺和第二沉积工艺，于所述衬底表面形成氧化硅和氮化硅超晶格结构；所述第一沉积工艺包括重复执行若干次第一循环步骤；所述第一循环步骤包括：采用原子层沉积工艺形成一层氧化硅层于所述衬底表面；所述第二沉积工艺包括重复执行若干次第二循环步骤；所述第二循环步骤包括：采用原子层沉积工艺形成一层氮化硅层于所述氧化硅层表面。本发明达到了精确调控氧化硅层厚度和氮化硅层厚度的效果，实现了对超超晶格薄膜厚度原子层级可控，从而能够形成具有较高质量的氧化硅和氮化硅超晶格结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化 氮化 晶格 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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