[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011581586.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112614920B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 杨力勋;蔡琳榕;朱立钦;连文黎;刘双良;乔锦 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该芯片包括基板、功能层及发光二极管台面；基板上表面包括发光区域和环绕于发光区域之外的切割区域；功能层铺设在发光区域和切割区域；功能层上表面配置有发光二极管台面；切割区域划分为第一区域和第二区域，第一区域和第二区域沿发光二极管台面周向间隔设置，第一区域形成有凸台，该凸台自功能层上表面向上延伸不高于发光二极管台面的高度，并与发光二极管台面间隔预定距离。本申请中仅在第一区域形成凸台，保证发光二极管芯片中的电位均匀分布，避免发光二极管芯片出现电迁移的现象，改善芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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