[发明专利]非挥发性存储器装置的制造方法

摘要

本发明提供了一种非挥发性存储器装置的制造方法。此方法包括形成沟槽穿过牺牲层且延伸至基板中，填入第一绝缘材料于沟槽中，以及通过注入工艺将掺质注入于第一绝缘材料中。之后，部分地移除第一绝缘材料，以形成第一凹口于牺牲层之间。第一凹口的最低点低于基板的顶表面。此方法包括填入第二绝缘材料于第一凹口中，以及移除牺牲层，以形成第二凹口相邻于第二绝缘材料。此方法包括形成第一多晶硅层于第二凹口中，以及依序形成介电层及第二多晶硅层于第一多晶硅层上。