[发明专利]非挥发性存储器装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202011580103.1 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN114613776A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 吴建贤;林俊宏;蔡高财;蔡耀庭 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L21/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王天尧;汤在彦
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 挥发性 存储器 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,包括:

形成一牺牲层于一基板上;

形成一沟槽穿过该牺牲层且延伸至该基板中;

填入一第一绝缘材料于该沟槽中;

进行一注入工艺,以将一掺质注入于该第一绝缘材料中;

在进行该注入工艺之后,部分地移除该第一绝缘材料,以形成一第一凹口于该牺牲层之间,其中该第一凹口的一最低点低于该基板的一顶表面;

填入一第二绝缘材料于该第一凹口中;

移除该牺牲层,以形成一第二凹口相邻于该第二绝缘材料;

形成一第一多晶硅层于该第二凹口中;

部分地移除该第二绝缘材料,使该第二绝缘材料的一顶表面低于该第一多晶硅层的一顶表面;

形成一介电层于该第一多晶硅层上;以及

形成一第二多晶硅层于该介电层上。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该掺质的原子量或分子量为30-75。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该掺质包括磷、砷、氟或氟化硼。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该注入工艺的注入能量为0.1-5.0keV。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该注入工艺的注入深度为10-30nm。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第一凹口之后,该第一凹口的该最低点至该基板的该顶表面的距离为第一深度D1,该基板的该顶表面与该第一绝缘材料的一顶表面之间具有最短距离T1,且该最短距离T1相对于该第一深度D1的比率为1.5-4。

7.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第一凹口之后,该牺牲层具有一第一高度H1,在形成该第二凹口之后,该第二凹口具有一第二高度H2,且该第二高度H2相对于该第一高度H1的比率H2/H1为0.65-0.85。

8.如权利要求7所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第二凹口之后,该第二凹口的顶部区域具有第二宽度W2,该第二凹口的底部分具有第三宽度W3,且该第二宽度W2相对于该第三宽度W3的比率W2/W3至少为0.50。

9.如权利要求8所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第二凹口之后,该第二高度H2相对于该第二宽度W2的比率H2/W2为2.0-5.0。

10.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,通过一湿刻蚀部分地移除该第一绝缘材料,且其中该湿刻蚀包括:

使用一第一刻蚀溶液刻蚀该第一绝缘材料,其中该第一刻蚀溶液具有一第一浓度;以及

使用一第二刻蚀溶液刻蚀该第一绝缘材料,其中该第二刻蚀溶液具有小于该第一浓度的一第二浓度。

11.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,更包括:

在形成该沟槽之后,顺应性地形成一绝缘衬层于该基板及该牺牲层上,其中形成该绝缘衬层包括使用原位蒸汽产生法及高深宽比填沟工艺。

12.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,更包括:

在进行该注入工艺之前,进行一平坦化工艺,以使该第一绝缘材料的一顶表面与该牺牲层的一顶表面齐平。

13.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,更包括:

在进行该注入工艺之前,进行一平坦化工艺,以使该第一绝缘材料的一顶表面高于该牺牲层的一顶表面。

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