[发明专利]非挥发性存储器装置的制造方法在审
申请号: | 202011580103.1 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN114613776A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 吴建贤;林俊宏;蔡高财;蔡耀庭 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L21/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王天尧;汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挥发性 存储器 装置 制造 方法 | ||
1.一种非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,包括:
形成一牺牲层于一基板上;
形成一沟槽穿过该牺牲层且延伸至该基板中;
填入一第一绝缘材料于该沟槽中;
进行一注入工艺,以将一掺质注入于该第一绝缘材料中;
在进行该注入工艺之后,部分地移除该第一绝缘材料,以形成一第一凹口于该牺牲层之间,其中该第一凹口的一最低点低于该基板的一顶表面;
填入一第二绝缘材料于该第一凹口中;
移除该牺牲层,以形成一第二凹口相邻于该第二绝缘材料;
形成一第一多晶硅层于该第二凹口中;
部分地移除该第二绝缘材料,使该第二绝缘材料的一顶表面低于该第一多晶硅层的一顶表面;
形成一介电层于该第一多晶硅层上;以及
形成一第二多晶硅层于该介电层上。
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该掺质的原子量或分子量为30-75。
3.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该掺质包括磷、砷、氟或氟化硼。
4.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该注入工艺的注入能量为0.1-5.0keV。
5.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,该注入工艺的注入深度为10-30nm。
6.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第一凹口之后,该第一凹口的该最低点至该基板的该顶表面的距离为第一深度D1,该基板的该顶表面与该第一绝缘材料的一顶表面之间具有最短距离T1,且该最短距离T1相对于该第一深度D1的比率为1.5-4。
7.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第一凹口之后,该牺牲层具有一第一高度H1,在形成该第二凹口之后,该第二凹口具有一第二高度H2,且该第二高度H2相对于该第一高度H1的比率H2/H1为0.65-0.85。
8.如权利要求7所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第二凹口之后,该第二凹口的顶部区域具有第二宽度W2,该第二凹口的底部分具有第三宽度W3,且该第二宽度W2相对于该第三宽度W3的比率W2/W3至少为0.50。
9.如权利要求8所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,在形成该第二凹口之后,该第二高度H2相对于该第二宽度W2的比率H2/W2为2.0-5.0。
10.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,通过一湿刻蚀部分地移除该第一绝缘材料,且其中该湿刻蚀包括:
使用一第一刻蚀溶液刻蚀该第一绝缘材料,其中该第一刻蚀溶液具有一第一浓度;以及
使用一第二刻蚀溶液刻蚀该第一绝缘材料,其中该第二刻蚀溶液具有小于该第一浓度的一第二浓度。
11.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,更包括:
在形成该沟槽之后,顺应性地形成一绝缘衬层于该基板及该牺牲层上,其中形成该绝缘衬层包括使用原位蒸汽产生法及高深宽比填沟工艺。
12.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,更包括:
在进行该注入工艺之前,进行一平坦化工艺,以使该第一绝缘材料的一顶表面与该牺牲层的一顶表面齐平。
13.如权利要求1所述的非挥发性存储器装置的制造方法,其特征在于,更包括:
在进行该注入工艺之前,进行一平坦化工艺,以使该第一绝缘材料的一顶表面高于该牺牲层的一顶表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的