[发明专利]防烧损功率SIP模块封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 202011576111.9 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112687639B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 丁飞;王启东;侯峰泽;丁才华;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种防烧损功率SIP模块封装结构及其封装方法，包括：功率SIP模块，被配置为容置功率芯片、SIP元件及隔热结构；PCB母板，被配置为承载一个或多个功率SIP模块；隔热结构，被配置为包围在功率芯片的周围，以将功率芯片与其他结构的热传导路径切断。本发明通过在功率芯片周围包裹阻燃材料制成的隔热结构，阻燃材料将功率芯片与有机介质隔离，在功率芯片发生短路时可以很好地抑制芯片周围有机介质的燃烧，从而起到防烧损的作用，在功率电子封装领域具有极大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 防烧损 功率 sip 模块 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011576111.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
