[发明专利]一种紫外光电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011567039.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112670383B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴华龙;何晨光;贺龙飞;张康;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/24;H01L33/00;H01L31/0236;H01L31/0304;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外光电器件及其制备方法，制备方法包括：采用沉积方法在大倾角蓝宝石衬底上沉积200nm‑4μm的AlN材料；将AlN材料放置于高温热退火炉中进行高温热退火处理，在完成高温热退火后，将蓝宝石衬底放置于MOCVD设备中生长紫外光电器件结构，其中，紫外光电器件结构包括但不限于紫外LED结构和紫外光电探测器结构。本发明实施例通过采用大倾角蓝宝石衬底进行外延生长后高温热退火得到锯齿状宏台阶，锯齿状宏台阶能够将注入到量子阱中的载流子限制在宏台阶褶皱处，从而能够避免遇上位错发生而非辐射复合，进而能够有效地提高紫外光电器件的发光效率和光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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