[发明专利]一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法有效

专利信息
申请号: 202011561712.2 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112760709B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 焦鹏;黄旭光;刘彬国 申请(专利权)人: 晶澳太阳能有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B13/00;C30B15/00;C30B27/00;C30B27/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 杨倩;张效荣
地址: 055550 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法。该水冷热屏结构包括:水冷热屏本体以及设置于水冷热屏本体内部的气冷装置,其中,气冷装置,用于将惰性气体输送至单晶硅生长区域。该水冷热屏结构能够有效地提升单晶硅生长速度。
搜索关键词: 一种 水冷 结构 单晶硅 生长 装置 方法
【主权项】:
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