[发明专利]一种二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202011554045.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635547A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张景超;林茂;戚丽娜;井亚会 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 刘松 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种二极管及其制作方法，所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构，N基体上形成有有源区P+层，有源区P+层内设有多个mos结构，有源区P+层上设有阳极金属，mos结构包括沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层，沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加开启电压，沟槽外形成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区连接，二极管内形成反向电流。本发明提供的一种二极管，能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能力，并且该二极管的雪崩耐量能力远远超过普通二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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