[发明专利]一种功率半导体、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202011553547.6 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678418A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郭依腾;史波;肖婷 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 王卫忠;韩来兵 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 涉及半导体器件结构技术领域，本申请公开一种功率半导体、制备方法及其应用。依次包括衬底、掺杂层及隔离层，掺杂层向衬底方向开设有多个第一沟槽，相邻两个第一沟槽之间开设有第二沟槽，所述第二沟槽由所述掺杂层顶部向所述掺杂层底部延伸，第二沟槽底部与掺杂层底部平齐，第一沟槽内包含有填充物，填充物与第一沟槽顶部平齐，第二沟槽内填充成型有第一类型杂质离子。相比现有技术，能够通过在第二沟槽中填充第一类型杂质离子有效改善沟槽结构，减小工艺制作难度，操作简单、开启电压低、能够有效提高对P‑well能力的性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司，未经珠海格力电器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011553547.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种印刷用烘烤设备
- 下一篇：一种车辆智能悬架控制器测试系统
- 同类专利
- 专利分类
