[发明专利]量子点发光二极管底电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202011550009.1 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114665038A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 敖资通;严怡然;张建新;杨帆;赖学森;洪佳婷 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 郝文婷 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管底电极及其制备方法。本发明通过对电极层进行结晶化处理，可以使电极层中原本处于非晶态的导电金属氧化物结晶化，然后再经刻蚀处理将未结晶化的部分去除掉，不仅可以达到充分退火的目的，使电极层的载流子迁移率得到提高，而且避免了常规加热退火处理过程中对反射层造成的负面影响。同时，本发明制备过程中无需激光刻蚀设备，也无需制备抗蚀剂膜层，既简化了制备工艺，又降低了生产成本，更适合实验室小规模研发的需求。本发明量子点发光二极管底电极用于制备顶发射量子点发光二极管，所得顶发射量子点发光二极管具有较好的发光效率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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