[发明专利]量子点发光二极管底电极及其制备方法

说明书

本发明涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管底电极及其制备方法。本发明通过对电极层进行结晶化处理，可以使电极层中原本处于非晶态的导电金属氧化物结晶化，然后再经刻蚀处理将未结晶化的部分去除掉，不仅可以达到充分退火的目的，使电极层的载流子迁移率得到提高，而且避免了常规加热退火处理过程中对反射层造成的负面影响。同时，本发明制备过程中无需激光刻蚀设备，也无需制备抗蚀剂膜层，既简化了制备工艺，又降低了生产成本，更适合实验室小规模研发的需求。本发明量子点发光二极管底电极用于制备顶发射量子点发光二极管，所得顶发射量子点发光二极管具有较好的发光效率和性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管底电极及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dots Light-Emitting Diode，QLED)，是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相似，是以空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。这是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，其核心技术为“Quantum Dot(量子点)”。早在1983年，美国贝尔实验室的科学家就对其进行深入研究，数年后美国耶鲁大学的物理学家马克·里德正式将其命名为“量子点”。量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。

量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料，胶体法制备的量子点具有光谱可调、发光强度大、色纯度高、荧光寿命长、单光源可激发多色荧光等优势。此外，QLED的寿命长，封装工艺简单或无需封装，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。

在实际试验研发过程中，顶发射结构的QLED由于更贴近实际生产所需的结构，因而被广泛使用。然而，在湿法刻蚀制备顶发射QLED底电极时，需要制备抗蚀剂膜层以保护底电极，湿法刻蚀完成后还需对抗蚀剂膜层进行去除，存在步骤繁杂的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管底电极及其制备方法，旨在解决现有顶发射量子点发光二极管底电极在湿法刻蚀制备过程中存在步骤繁杂的问题。

为实现上述申请目的，本发明采用的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种量子点发光二极管底电极的制备方法，其包括如下步骤：

提供基板，在所述基板表面制备反射层；

在所述反射层背离所述基板的表面制备电极层，对所述电极层进行结晶化处理和刻蚀处理，得到量子点发光二极管底电极。

另一方面，本发明提供一种量子点发光二极管底电极，其是通过本发明提供的量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到。

再一方面，本发明提供一种顶发射量子点发光二极管，包括相对设置的底电极和顶电极，以及层叠设置在所述底电极和所述顶电极之间的空穴功能层、量子点发光层和电子功能层，其中，所述底电极为本发明提供的量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到的量子点发光二极管底电极，或本发明提供的量子点发光二极管底电极。