[发明专利]一种常压化学气相沉积制备少层石墨烯膜的方法

摘要

本发明公开了一种常压化学气相沉积制备少层石墨烯膜的方法，包括：清洗铜箔基底；将铜箔进行第一次退火处理；将第一次退火后的铜箔进行硝酸溶液处理；将上下两层铜箔间隙叠放在石英片上，进行第二次退火处理；退火后的铜箔上进行石墨烯生长；冷却石墨烯薄膜，完成石墨烯膜的制备。该方法通过对铜箔基底溶液预处理结合两次退火，有效去除铜基底杂质得到洁净表面，通过优化铜箔基底加载方式，得到平整光滑铜表面，有效降低成核密度、扩大石墨烯畴。与其他方法相比，本发明的方法工艺简单有效，成本低，制备的石墨烯膜具有层数均匀可控、大面积、高纯度、高透光率等优点。