[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011541975.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664660A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰;曹瑞彬;林峰;秦祥;黄宇;李春旭 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/027;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在衬底上形成第二导电类型的掺杂区，掺杂区包括相邻的第一漂移区和第二漂移区，第二导电类型和所述第一导电类型相反；在衬底上形成多晶硅薄膜，多晶硅薄膜覆盖在掺杂区上；在多晶硅薄膜上形成光刻胶图形，光刻胶图形中的光刻胶覆盖在第一漂移区和第二漂移区上，且露出位于第一漂移区和第二漂移区之间的体区预设区上的多晶硅薄膜；进行高能离子注入，在体区预设区形成第一导电类型的体区，体区的上表面与掺杂区的上表面齐平，且体区的下表面不高于掺杂区的下表面。避免了光刻胶因刻蚀过程中的高温而发生形貌变化，进而对高能离子注入效果产生影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
