[发明专利]具有背栅接触和掩埋的高电阻率层的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202011474870.4 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113130622A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | V·贾因;A·K·斯塔珀;S·M·尚克;J·J·埃利斯-莫纳甘;J·J·派卡里克 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有背栅接触和掩埋的高电阻率层的场效应晶体管及制造方法。该结构包括：处理晶片，其包括单晶半导体区；位于单晶半导体区上方的绝缘体层；位于绝缘体层上方的半导体层；位于处理晶片中的高电阻率层，其通过单晶半导体区与绝缘体层分隔开；以及位于半导体层上的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 掩埋 电阻率 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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