[发明专利]用于生产掺杂有n型掺杂剂的硅单晶的方法和设备在审
| 申请号： | 202011457462.8 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN113061987A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | W·施陶达赫尔;G·拉明 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04;C30B15/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于生产掺杂有n型掺杂剂的硅单晶的方法和设备，该硅单晶具有圆柱形部分，在该圆柱形部分中电阻率不大于2毫欧姆厘米，该方法包括通过CZ法从包含在坩埚中的熔体提拉单晶。该方法还包括在提拉单晶的圆柱形部分的过程中，向熔体的表面提供气流，该气流包括气态掺杂剂，其中将管道系统中的气流引导到提拉腔室内，并穿过围绕生长的单晶的隔热罩，或沿着隔热罩的外表面，到达隔热罩的下端处的环形通道，并从那里通过喷嘴至熔体的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 掺杂 硅单晶 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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