[发明专利]一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备在审
| 申请号： | 202011456912.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114628211A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李相龙;周娜;李琳;王佳;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，涉及半导体技术领域，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。所述反应腔室设备包括：气体注入部和升降调节部；气体注入部的第一端通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔室内，气体注入部内开设有向反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；升降调节部与气体注入部的第二端连接，升降调节部用于调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。所述反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 感应 耦合 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011456912.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法
- 下一篇：一种烯烃氨化制备二胺类化合物的方法
