[发明专利]一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备

说明书

本发明公开了一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，涉及半导体技术领域，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。所述反应腔室设备包括：气体注入部和升降调节部；气体注入部的第一端通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔室内，气体注入部内开设有向反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；升降调节部与气体注入部的第二端连接，升降调节部用于调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。所述反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备。

背景技术

感应耦合等离子体刻蚀技术是一种利用气体辉光放电产生的高密度等离子体轰击材料表面进行刻蚀的技术。采用感应耦合等离子体刻蚀技术对待刻蚀对象(例如：晶圆)进行刻蚀，具有刻蚀速率快、刻蚀精度高等优点。

但是，现有的感应耦合等离子体刻蚀设备中的气体注入部，其在反应腔室的电介质窗口上的安装深度存在组装误差时，会使得气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离不满足刻蚀要求，进而影响刻蚀过程中待刻蚀对象各区域表面的等离子体密度，从而导致刻蚀均匀性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。

为了实现上述目的，本发明提供了一种反应腔室，该反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中，该反应腔室包括：

气体注入部，气体注入部的第一端通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔室内，气体注入部内开设有向反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；

升降调节部，升降调节部与气体注入部的第二端连接，升降调节部用于调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。

与现有技术相比，本发明提供的反应腔室中，气体注入部的第一端可以通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔内。并且，该气体注入部内开设有与反应腔室连通的供气通道。在刻蚀过程中，可以通过供气通道向反应腔室内提供刻蚀气体。同时，气体注入部的第二端连接有升降调节部，该升降调节部可以调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。也就是说，即使将气体注入部安装在电介质窗口处时存在组装误差，使得气体注入部的第二端与待刻蚀对象之间的距离不满足工作要求，进而导致刻蚀过程中待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度与刻蚀要求不符，也可以根据实际刻蚀情况通过升降调节部来调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离，从而使得待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，最终提高刻蚀均匀性、提升刻蚀效果。

本发明还提供了一种感应耦合等离子体刻蚀设备，该感应耦合等离子体刻蚀设备包括上述技术方案所提供的反应腔室。

与现有技术相比，本发明提供的感应耦合等离子体刻蚀设备的有益效果与上述技术方案所提供的反应腔室的有益效果相同，此处不再赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有的感应耦合等离子体刻蚀设备的纵向剖视示意图；

图2为本发明实施例提供的反应腔室的纵向剖视示意图；

图3为本发明实施例提供的气体注入部和升降调节部的结构放大图；

图4为图2所示结构中的气体注入部的结构放大图。

附图标记：