[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202011452022.3 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114628261A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈坦林;郭万里;刘天建 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括：形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。本发明能够实现多层芯片和晶圆的混合键合，满足半导体器件的多样化需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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