[发明专利]半导体器件的制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括：形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。本发明能够实现多层芯片和晶圆的混合键合，满足半导体器件的多样化需求。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

现有半导体器件中，芯片和晶圆只有正面具有键合界面，可以实现单层的 芯片和晶圆的混合键合。在芯片与晶圆键合之后，若要继续在芯片上键合其他 芯片，则需要在芯片的上表面制作混合键合界面。但是，芯片的上表面难以再 进行其他制程，导致无法进行混合键合界面的制作，从而无法在芯片上混合键 合其它芯片，无法满足半导体器件的多样化需求。

发明内容

本发明提供一种半导体器件的制作方法，能够实现多层芯片和晶圆的混合 键合，满足半导体器件的多样化需求。

本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：

形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；

对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目 标芯片；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；

将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。

进一步优化的，所述方法还包括：

形成第二晶圆的正面键合界面和背面键合界面；

对所述第二晶圆进行芯片切分，并将所述第二晶圆中的各芯片与所述第一 晶圆中的各芯片一起作为所述第一目标芯片。

进一步优化的，所述第二晶圆中的芯片与所述第一晶圆中的芯片尺寸和功 能相同或不同。

进一步优化的，所述方法还包括：

形成第三晶圆的正面键合界面和背面键合界面；

对所述第三晶圆进行芯片切分，并将所述第三晶圆中的各芯片作为所述第 二目标芯片。

进一步优化的，所述将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片 进行键合的步骤，包括：

将所述第二目标芯片的背面键合界面与第二基板进行临时键合；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第二目标芯片的正面键合界面 进行键合；

将所述第二目标芯片的背面键合界面与所述第二基板进行解键合。

进一步优化的，所述在第一晶圆上形成正面键合界面和背面键合界面的步 骤，包括：

在所述第一晶圆的正面形成正面键合界面；

将所述第一晶圆的正面键合界面与承载晶圆进行临时键合；

在所述第一晶圆的背面形成背面键合界面；

将所述第一晶圆的正面键合界面与所述承载晶圆进行解键合。

进一步优化的，所述在所述第一晶圆的背面形成背面键合界面的步骤，包 括：

对所述第一晶圆的背面进行减薄处理；