[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；

对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；

将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成第二晶圆的正面键合界面和背面键合界面；

对所述第二晶圆进行芯片切分，并将所述第二晶圆中的各芯片与所述第一晶圆中的各芯片一起作为所述第一目标芯片。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二晶圆中的芯片与所述第一晶圆中的芯片尺寸和功能相同或不同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成第三晶圆的正面键合界面和背面键合界面；

对所述第三晶圆进行芯片切分，并将所述第三晶圆中的各芯片作为所述第二目标芯片。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合的步骤，包括：

将所述第二目标芯片的背面键合界面与第二基板进行临时键合；

将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第二目标芯片的正面键合界面进行键合；

将所述第二目标芯片的背面键合界面与所述第二基板进行解键合。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面的步骤，包括：

在所述第一晶圆的正面形成正面键合界面；

将所述第一晶圆的正面键合界面与承载晶圆进行临时键合；

在所述第一晶圆的背面形成背面键合界面；

将所述第一晶圆的正面键合界面与所述承载晶圆进行解键合。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆的背面形成背面键合界面的步骤，包括：

对所述第一晶圆的背面进行减薄处理；

在所述第一晶圆的背面形成互连层，并在所述互连层中形成键合结构，以构成所述第一晶圆的背面键合界面。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆的正面键合界面与所述承载晶圆通过键合胶相键合；

所述方法还包括：

在所述第一晶圆的正面键合界面与所述承载晶圆进行解键合时，将所述键合胶保留在所述第一晶圆的正面键合界面上；

在对所述第一晶圆进行芯片切分之后，去除所述第一晶圆的正面键合界面上的键合胶以及所述第一晶圆切分时产生的残留物。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在将所述第一晶圆的正面键合界面与所述承载晶圆进行解键合之前，在所述第一晶圆的背面键合界面上贴附支撑膜；

在对所述第一晶圆进行芯片切分之后，对所述支撑膜进行扩膜。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一晶圆的背面键合界面上贴附支撑膜之前，在所述第一晶圆的背面键合界面形成键合胶；

在将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合时，去除所述键合胶。